"Galaxy S9 может лишиться слота MicroSD, получив 512 ГБ памяти"

При всем этом по физическому объему (а значит и по месту, занимаемому в корпусе мобильного устройства) они не отличаются от модулей на 256 Гбайт с 48 слоями. Компания объявила о старте производства 512-гигабайтный UFS-чипов, которые будут использовать в мобильниках «нового поколения». Также компания поработала над энергоэффективностью и повышением производительности памяти.

Чип имеет те же самые размеры, что и 256-гигабайтный, в Самсунг сумели увеличить количество слоев микросхем V-NAND до 64-х.

До того как приступить к производству комплектующих для телефонов обновленного поколения, Самсунг сделала практически неимоверное, уместив восемь чипов общим объемом 512 ГБ в корпусе 256-гигабайтного накопителя.

Новый модуль памяти вдвое превосходит параметры 256-гигабайтных модулей.

Компания Самсунг Electronics сообщила о том, что она приступила к массовому производству модулей флэш-памяти eUFS (embedded Universal Flash Storage) емкостью 512 ГБ, которые созданы для новых мобильных устройств. Кроме того, чип контроллера 512 ГБ eUFS ускоряет процесс сопоставления, преобразуя адреса логических блоков в адреса физических блоков.

Что касается произвольных операций, новая память eUFS обеспечивает скорость чтения 42 000 операций ввода-вывода в секунду и скорость записи 40 000 операций ввода-вывода в секунду. «Они позволяют справиться ограничения, накладываемые картами MicroSD, и гарантируют сохранность записанных данных без ущерба для производительности».

По утверждению производителя, не менее емкие флэш-накопители предоставят пользователям еще больше возможностей для хранения и работы с высококачественным контентом. Вероятно, идет речь о Самсунг Galaxy S9.

Samsung начала производство модулей памяти для мобильных устройств на 512 Гбайт


Введите Ваш адрес электронной почты, чтобы получать новые статьи:

Написать комментарий