Чип Самсунг удвоит объем памяти в телефонах

По размеру микросхема идентична теперешним на 3 ГБ.

Самсунг объявила о старте массового производства новых модулей памяти на 12 Гбит (1,5 ГБ) сверхскоростного формата LPDDR4. Новые микросхемы памяти могут поместиться по две либо 4 штуки в одном корпусе, обеспечив тем самым создание модуля оперативной памяти объемом 3 и 6 ГБ соответственно. В пресс-релизе Самсунг отмечается, что это даст возможность создавать мобильные телефоны с 6 ГБ оперативной памяти. А в сравнении с модулями DDR4 DRAM для персональных компьютеров она вдвое скорее и на 20% энергоэффективнее. При всем этом они отличаются высокой энергоэффективностью, надежностью и обычным дизайном, что немаловажно для разработки следующего поколения мобильных устройств. Текущие флагманы в среднем располагают 3 ГБ, а самые крутые — 4 ГБ. Чипы изготовляются с соблюдением 20-нм технологических норм. Самсунг называет их самыми быстрыми и производительными RAM-чипами на мобильном рынке. Производитель ждет появления своего нового решения в ультра-тонких ПК, цифровых приборах и автомобилях в ближайшие годы. При всем этом новинка имеет 20-процентное превосходство в части низкого потребления энергии.

В 2016 году появятся смартфоны с 6 Гбайт оперативной памяти

Добавить комментарий